第355章 李晓凡的追赶IBM计划与诺贝尔物理奖技术（2 / 2）

“先搞磁传感芯片与传感器？”毛思明博士皱眉道。

“是的，考虑到法律上的竞业禁止条款，我的设想我们在新加坡科学园先从磁传感器芯片和传感器产品切入。但是您带领的新团队主要精力将是研究巨磁电阻GMR磁头技术!”

毛思明博士惊道：“李董，你对巨磁电阻GMR技术也有研究？”

纵观全球的磁性传感技术，有大概四个阶段：

第一代：HallEffect霍尔效应。

第二代：AMR(AnisotropicMagnetoResistance)各向异性磁电阻传感

第三代：GMR(GiantMagnetoResistance)巨磁电阻传感器

第四代：TMR(TunnelingMagnetoResistance)隧道磁电阻传感器

李晓凡笑道：“有所耳闻吧，再说读了您去年底的两份报告，多少有点了解……”

前世，2007年诺贝尔物理学奖分别授予来自德国于利希亥姆霍兹研究中心的彼得·格林贝格尔(petergruenberg)和来自法国巴黎第十一大学的阿尔贝·费尔(albertfert)教授。

因为这两位获奖者在上世纪80年代独立进行巨磁电阻GMR技术研究，因相继发现巨磁阻GMR效应而双双荣获本年度诺贝尔物理学奖！

巨磁电阻GMR效应自八十年代发现以来，立即引起各国企业界及学术界的高度重视，巨磁电阻GMR效应成为当下凝聚态物理5个热点之一。

就在前年的1994年，美国的NVE公司首先实现巨磁电阻GMR效应的产业化，开始销售巨磁电阻GMR传感器。这家公司后2003年在纳斯达克上市。

前世，在1998年美国的IBM公司成功地把巨磁电阻GMR效应应用在计算机硬盘驱动器上，研制出巨磁电阻GMR效应磁头。

但是，前世就在IBM研制出来巨磁电阻GMR效应磁头不久，毛思明博士在希捷公司先后领衔开发了第三代GMR（巨磁阻磁头）和第四代TMR（隧道磁阻磁头）等新一代磁读出头及传感器，被业界誉为“磁头之父”。他带领团队研发多项行业内的“第一技术”，成功帮助希捷在该行业取代了IBM的市场地位！

前世，也正是因为毛思明博士的强大实力，后来被希捷的竞争对手西部数据高薪挖走担任西部数据公司的研发副总裁，引发后来的一系列诉讼……

所以，当下李晓凡的策略是先把毛思明博士聘请去新加坡科学园建立一个磁传感芯片与介质研发中心，表面上从事与美国NVE公司一样的传感芯片研究。

实际上真正的目的是研发电脑硬盘上使用的核心部件：巨磁电阻GMR效应磁头，争取赶超IBM公司！而没了毛思明博士的希捷公司可以直接忽略。

在新加坡设立这个研发中心的好处是新加坡属于西方阵营的小弟，不会那么惹眼。西方有两个对华实行技术封锁的“巴统组织”和“瓦森纳协议”，从长远而言，李晓凡不得不考虑这一点。

一旦研发成功以后，李晓凡再考虑把生产基地放在大陆内地……

李晓凡继续道：“毛博士，我的初步计划是我们新加坡怡凡投资私人有限公司与您个人在新加坡科学园合作成立一家合资公司，从事磁传感器技术的研发。这个项目的初期投资是500万美元，您个人将拥有20%的技术股。而且您到了新加坡创业以后，我保证您的收入将不会低于现在希捷公司的水平。这是我的初步想法，您看看有什么意见？”